存储器构架(格式) DDR4 SDRAM 时钟频率(fc) 1.6GHz 存储容量 512Mbit 工作电压 1.14V~1.26V

NOR FLASH 133MHz 8Mbit SPI 2.7V~3.6V

NOR FLASH 133MHz -40℃~+85℃ 4Mbit 2.7V~3.6V

IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOP

NOR FLASH 133MHz 16Mbit SPI 2.7V~3.6V

FLASH - NOR (SLC) Memory IC 256Mbit SPI - Quad I/O 133 MHz 16-SOP

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

NOR FLASH 133MHz 64Mbit SPI 2.7V~3.6V

NOR FLASH 133MHz 32Mbit SPI 2.7V~3.6V

SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash 基于行业标准的 NAND Flash 内存核心，为嵌入式系统提供了一种超经济高效且高密度的非易失性内存存储解决方案。它是 SPI-NOR 和标准并行 NAND Flash 的有吸引力的替代方案，具有先进的特性。总引脚数为 8，包括 VCC 和 GND，密度为 1Gb，与 SPI-NOR 相比，具有优越的写入性能和每比特成本，比并行 NAND 成本显著降低。这种低引脚数的 NAND Flash 内存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种密度到另一种密度始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的 SPI-NOR 命令集，经过修改以处理 NAND 特定功能并添加了新特性。它是一种易于集成的 NAND Flash 内存，具有特定设计的特性以简化主机管理:用户可选择的内部 ECC