品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT管/模块 编号 : C2924646 IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 75A 耗散功率(Pd) : 390W

品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 60A 耗散功率(Pd) : 483W

IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 650V 集电极电流(Ic) : 40A 耗散功率(Pd) : 250W 描述:光伏逆变 储能 UPS 电源

FET 类型  N沟道 漏极-源极电压  650V 漏极电流  40A 栅极-源极阈值电压  3.2V~4.5V 漏极-源极导通电阻  90mΩ@10V 输入电容  3445pF 栅极电荷  84nC

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 200V、连续漏极电流(Id) : 50A、导通电阻(RDS(on)) : 0.04Ω@10V

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.065Ω@4.5V

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET TO-220

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET TO-220

车规级

此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。