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这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。
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此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
In Stock: 3000
