此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散，与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，占位非常小。
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此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用：负载开关和电力管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
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此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
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此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
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此类 N 和 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
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