数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 800V、连续漏极电流(Id) : 12A、耗散功率(Pd) : 35W
Inventory: 22859
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 20A、导通电阻(RDS(on)) : 0.29Ω@10V
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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.95Ω@10V
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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 45A、导通电阻(RDS(on)) : 0.11Ω@10V
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N沟道,100V,110A,0.0042Ω@10V
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
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