数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 60V、连续漏极电流(Id) : 90A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8mΩ@10V

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常级别-MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

车规级

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.065Ω@4.5V

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 200V、连续漏极电流(Id) : 50A、导通电阻(RDS(on)) : 0.04Ω@10V

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 46A、导通电阻(RDS(on)) : 0.045Ω@10V

场效应管(MOSFET) 520W 200V 130A 1个N沟道

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流

特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 10.6A、导通电阻(RDS(on)) : 380mΩ@10V

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。