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Product Model

STW45NM60

ST/意法

FET simples, MOSFET

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 45A、导通电阻(RDS(on)) : 0.11Ω@10V

In Stock: 3000

STW20N95K5

ST/意法

FET simples, MOSFET

N沟道950 V、0.275 Ohm典型值、17.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

In Stock: 600

STP15810

ST/意法

FET simples, MOSFET

N沟道,100V,110A,0.0042Ω@10V

In Stock: 3000

STW6N120K3

ST/意法

FET simples, MOSFET

In Stock: 3000

STF28N60M2

ST/意法

FET simples, MOSFET

N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

In Stock: 3000

STP6N95K5

ST/意法

FET simples, MOSFET

场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道

In Stock: 10000

STP20NM60FD

ST/意法

FET simples, MOSFET

In Stock: 3000

STD1NK60-1

ST/意法

FET simples, MOSFET

场效应管(MOSFET) 30W 600V 1A 1个N沟道

In Stock: 30000

STF2HNK60Z

ST/意法

FET simples, MOSFET

1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 2A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8Ω@10V

In Stock: 10000

STF9NK90Z

ST/意法

FET simples, MOSFET

场效应管(MOSFET) 40W 900V 8A 1个N沟道

In Stock: 10000

BTA16-700BRG

ST/意法

IGBT simples

TRIAC 700V 16A TO220...门极触发电压(Vgt) : 1.3V、保持电流(Ih) : 50mA、断态峰值电压(Vdrm) : 700V、门极触发电流(Igt) : 50mA

In Stock: 3000

STGWA80H65DFB

ST/意法

IGBT simples

IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247

In Stock: 3000

STGWA40H65DFB

ST/意法

IGBT simples

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装

In Stock: 3000

STGWA60H65DFB

ST/意法

IGBT simples

IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、集电极电流(Ic) : 80A、耗散功率(Pd) : 375W

In Stock: 3000

STGWA75H65DFB

ST/意法

IGBT simples

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT

In Stock: 1000

SCT027TO65G3

ST/意法

FET, MOSFET

SIC MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TOLL;

In Stock: 18000

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