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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 100V、连续漏极电流(Id) : 290A、导通电阻(RDS(on)) : 2.6mΩ@10V
- 400: 5.8
库存: 3000
此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
库存: 3000
