场效应管(MOSF） | 电子元器件分销商中达通科技

图片

产品型号

分类

描述

价格

BOM

STF9NK90Z

ST/意法

场效应管(MOSF）

场效应管(MOSFET) 40W 900V 8A 1个N沟道

库存: 1000

STF2HNK60Z

ST/意法

场效应管(MOSF）

1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 600V、连续漏极电流(Id) : 2A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8Ω@10V

库存: 1000

STD1NK60-1

ST/意法

场效应管(MOSF）

场效应管(MOSFET) 30W 600V 1A 1个N沟道

库存: 7500

DMP2045U-7

DIODES/美台

场效应管(MOSF）

这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

库存: 3000

2N7002DW-7-F

DIODES/美台

场效应管(MOSF）

这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

库存: 3000

LP2309LT1G

LRC/乐山无

场效应管(MOSF）

特性：RDS(ON) ≤ 215mΩ，Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 260mΩ，Vgs@-4.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：笔记本电脑电源管理。便携式设备

库存: 3000

NCEP028N85

NCE/新洁能

场效应管(MOSF）

库存: 3000

STP6N95K5

ST/意法

场效应管(MOSF）

场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道

库存: 3000

FDN5618P-NL

ON/安森美

场效应管(MOSF）

此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

库存: 3000

BSS84LT1G

ON/安森美

场效应管(MOSF）

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

库存: 3000

选择语言