此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 30V、连续漏极电流(Id) : 4A、导通电阻(RDS(on)) : 75mΩ@4.5V

这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。

此类 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

此双 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。