场效应管(MOSFET) 280W 500V 20A 1个N沟道 TO-247AC-3
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此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 450V、连续漏极电流(Id) : 200mA、导通电阻(RDS(on)) : 20Ω@0V,150mA
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数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 100V、连续漏极电流(Id) : 290A、导通电阻(RDS(on)) : 2.6mΩ@10V
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数量 : 1个N沟道+1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 5.1A、连续漏极电流(Id) : 3.2A
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漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.8A、导通电阻(RDS(on)) : 0.1Ω@4.5V,3.8A、耗散功率(Pd) : 2W
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数量 : 1个N沟道+1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 6.1A、连续漏极电流(Id) : 6.7A
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