数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.065Ω@4.5V
库存: 22859
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 200V、连续漏极电流(Id) : 50A、导通电阻(RDS(on)) : 0.04Ω@10V
库存: 20259
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 60V、连续漏极电流(Id) : 90A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8mΩ@10V
库存: 21859
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现
库存: 20099
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 40V、连续漏极电流(Id) : 320A、导通电阻(RDS(on)) : 1.2mΩ@10V,160A
库存: 22859
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 20.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.19Ω@10V,13.1A
库存: 22859
