数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 3.7A、导通电阻(RDS(on)) : 0.065Ω@4.5V
库存: 22859
数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 200V、连续漏极电流(Id) : 50A、导通电阻(RDS(on)) : 0.04Ω@10V
库存: 20259
FET 类型 N沟道 漏极-源极电压 650V 漏极电流 40A 栅极-源极阈值电压 3.2V~4.5V 漏极-源极导通电阻 90mΩ@10V 输入电容 3445pF 栅极电荷 84nC
库存: 20859
IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 650V 集电极电流(Ic) : 40A 耗散功率(Pd) : 250W 描述:光伏逆变 储能 UPS 电源
库存: 20859
品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 60A 耗散功率(Pd) : 483W
库存: 20859
品牌 : CRMICRO(华润微) 封装 : TO-247-3 类目 : IGBT管/模块 编号 : C2924646 IGBT类型 : FS(场截止) 集射极击穿电集射极击穿…压(Vces) : 600V 集电极电流(Ic) : 75A 耗散功率(Pd) : 390W
库存: 20859
数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 30V、连续漏极电流(Id) : 12A、导通电阻(RDS(on)) : 38mΩ@5V,10A
库存: 22859
