IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、集电极电流(Ic) : 80A、耗散功率(Pd) : 349W..安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、输出电容(Coes) : 270pF、正向脉冲电流(Ifm) : 180A..安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、集电极电流(Ic) : 80A、耗散功率(Pd) : 268W...安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
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