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采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、75 A 高速 HB2 系列 IGBT

库存: 20859

TRIAC 700V 16A TO220...门极触发电压(Vgt) : 1.3V、保持电流(Ih) : 50mA、断态峰值电压(Vdrm) : 700V、门极触发电流(Igt) : 50mA

库存: 22859

集射极击穿电压(Vces) : 650V、集电极电流(Ic) : 74A、耗散功率(Pd) : 250W、正向压降(Vf) : 1.45V@20A

库存: 22859

IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247

库存: 22859

IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、集电极电流(Ic) : 80A、耗散功率(Pd) : 349W..安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

库存: 22859

IGBT类型 : FS(场截止)、集射极击穿电压(Vces) : 650V、输出电容(Coes) : 270pF、正向脉冲电流(Ifm) : 180A..安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

库存: 22859

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装

库存: 22859

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