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此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

库存: 22859

P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平

库存: 22859

特性:低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V),适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装,节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理,如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

库存: 22859

这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

库存: 22859

这款MOSFET的设计旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

库存: 22859

特性:RDS(ON) ≤ 215mΩ,Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 260mΩ,Vgs@-4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备

库存: 22859

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