图片
产品型号
分类
描述
价格
BOM

这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造,该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。

库存: 3000

数量 : 1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 30V、连续漏极电流(Id) : 4A、导通电阻(RDS(on)) : 75mΩ@4.5V

库存: 3000

此类 N 沟道 100V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用,可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

库存: 3000

Top