单 FET、MOSFET | 电子元器件分销商中达通科技

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IAUC80N04S6N036

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1可达260°C峰值回流温度。工作温度175°C。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

库存: 3000

IAUC120N06S5N017

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常级别-MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

库存: 3000

IAUC120N04S6N009

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

库存: 3000

IRFR7540TRPBF

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

数量 : 1个N沟道、漏源电压(Vdss) : 60V、连续漏极电流(Id) : 90A、导通电阻(RDS(on)) : 4.8mΩ@10V

库存: 2000

IPW65R115CFD7A

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

库存: 3000

IPW65R048CFDA

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

库存: 3000

IPL60R075CFD7

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

库存: 3000

IPDQ65R080CFD7A

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

库存: 3000

IPB65R660CFDA

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

库存: 3000

BSZ15DC02KDH

INFINEON/英飞凌

单 FET、MOSFET

数量 : 1个N沟道+1个P沟道、漏源电压(Vdss) : 20V、连续漏极电流(Id) : 5.1A、连续漏极电流(Id) : 3.2A

库存: 3000

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